Схема с ок и её основные параметры

Буква «э» говорит о том, что измерения производились при включении транзистора с общим эмиттером. При E1 = 0 ток через коллекторный переход мал (обусловлен неосновными носителями), его называют начальным коллекторным током Iк0. Если E1 > 0, электроны преодолевают эмиттерный p–n-переход (E1 включена в прямом направлении) и попадают в область базы. Наличие окружности символизирует транзистор в индивидуальном корпусе, отсутствие — транзистор в составе микросхемы. Расчет резисторов, входящих в эти схемы не зависит от схемы включения транзистора и для схемы с общим коллектором проводится точно так же как и для схемы с общим эмиттером. Схема такого ключевого каскада показана на рисунке 4. Ключевые каскады также применяются для работы со светодиодами или с оптронами.

Пару раз использовал как «чужую» схему, но так и не разбирался. Кроме того, применение данной схемы стабилизации дает возможность замены транзисторов без последующей настройки. Усиление каскада с ОБ обеспечивает усиление только по напряжению. Транзистор, являясь полупроводниковым прибором, изменяет свои параметры при изменении рабочей температуры.
Если мощность рассеивания на транзисторе не превышает 0,3 Вт, такой транзистор считается маломощным. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.Схема включения с общим эмиттером Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной. Наиболее высокий коэффициент усиления каскада ОЭ обеспечивается когда на коллекторной нагрузке падает половина напряжения источника питания Eпит/2. Соответственно, вторая половина падает на участке К-Э транзистора. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора.

Похожие записи: